收藏本站
A Product Line of
Diodes Incorporated
ZVN4106F
Electrical Characteristics (@T A = +25°C, unless otherwise specified.)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 7)
Drain-Source Breakdown Voltage
Zero Gate Voltage Drain Current T J = +25°C
Gate-Source Leakage
On-State Drain Current
BV DSS
I DSS
I GSS
I D(on)
60
—
—
1
—
—
—
—
—
10
50
100
-
V
μA
nA
A
V GS = 0V, I D = 10mA
V DS = 60V, V GS = 0V
V DS = 48V, V GS = 0V, T A = +125°C
V GS = ±20V, V DS = 0V
V GS = 10V, V DS = 15V
ON CHARACTERISTICS (Note 7)
Gate Threshold Voltage
Static Drain-Source On-Resistance
Forward Transconductance
V GS(th)
R DS (on)
g fs
1.3
—
150
—
—
—
3
2.5
5
-
V
Ω
mS
V DS = V GS , I D = 1mA
V GS = 10V, I D = 500mA
V GS = 5V, I D = 200mA
V DS = 25V, I D = 250mA
DYNAMIC CHARACTERISTICS (Note 7)
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-On Delay Time
Turn-On Rise Time
Turn-Off Delay Time
Turn-Off Fall Time
C iss
C oss
C rss
t D(on)
t r
t D(off)
t f
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
35
25
8
5
7
6
8
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = 25V, V GS = 0V,
f = 1.0MHz
V DS = 25V, I D = 150mA
Notes:
7. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.
ZVN4106F
Document number: DS33360 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
July 2012
? Diodes Incorporated
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
ZVN4206ASTOB MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN4206AVSTOB MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN4206GTC MOSFET N-CHAN 60V SOT223
ZVN4206GVTC MOSFET N-CHAN 60V SOT223
ZVN4210GTC MOSFET N-CHAN 100V SOT223
ZVN4306ASTZ MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN4306AVSTZ MOSFET N-CHAN 60V TO92-3
ZVN4306GTC MOSFET N-CHAN 60V SOT223
相关代理商/技术参数
ZVN4206A 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4206A(3) 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:
ZVN4206AM1 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 600MA I(D) | SO
ZVN4206ASTOA 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4206ASTOB 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4206ASTZ 功能描述:MOSFET N-Chnl 60V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4206AV 功能描述:MOSFET Avalanche RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZVN4206AV 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:MOSFET N LOGIC E-LINE